三星今年或将大力推进先进DRAM生产
据悉，星今三星已经向子公司Semes采购了大量热压（TC）键合机。年或作为生产堆叠DRAM、将大进先进高带宽内存（HBM）以及DDR5等前沿技术所需设备之一，力推这种大型订单预示着三星有望在今年全力拓展先进DRAM产品。星今
消息透露，年或自2023年末起，将大进先进存储芯片价格逐渐上涨；尽管整个行业陷入衰退期，力推受服务器和数据中心应用拉动，星今先进DRAM芯片需求依然稳健。年或而在另一方面，将大进先进NAND闪存需求预计将继续走弱。力推
考虑到TC键合机订单数量庞大，星今据知情人士预测，年或三星还可能扩展订购广达制造的将大进先进Syndion（适用于硅通孔（TSV）蚀刻）及泛林集团的Damascene SABRE 3D设备两款，也主要用于HBM的制备过程。
此外，据相关媒体报道，三星计划提升1a、1bDRAM芯片产能。
声明：本站所有文章，如无特殊说明或标注，均为本站原创发布。任何个人或组织，在未征得本站同意时，禁止复制、盗用、采集、发布本站内容到任何网站、书籍等各类媒体平台。如若本站内容侵犯了原著者的合法权益，可联系我们进行处理。
